更新時間：2025-03-04 01:02:38來源：安勤游戲網(wǎng)
三星電子DS部門的首席技術官宋在赫，在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上發(fā)表了重要講話，并披露了一系列創(chuàng)新技術。此次會議于舊金山舉行，吸引了眾多業(yè)內(nèi)人士的關注。
宋在赫詳細介紹的技術中，最為引人注目的是晶圓鍵合技術。這項技術將用于提升NAND閃存的堆疊層數(shù)，有望從當前的400層起步，進一步邁向1000層以上的新高度。他特別指出，鍵合技術能夠在NAND區(qū)域實現(xiàn)超過1000層的堆疊，這在業(yè)界尚屬首次。
為了直觀展示這一技術的潛力，宋在赫還公開展示了一份名為“Multi-BV NAND”結構的PPT。該結構通過堆疊四片晶圓（2+2）的方式，打破了傳統(tǒng)結構的限制，為實現(xiàn)更高層數(shù)的NAND閃存提供了可能。
值得注意的是，三星電子并非唯一一家致力于提升NAND閃存堆疊層數(shù)的企業(yè)。全球第二大NAND閃存制造商鎧俠也在積極研發(fā)類似技術，其目標是到2027年開發(fā)出1000層的3D NAND。而在中國，長江存儲同樣在這一領域取得了顯著進展，其“Xtacking”技術已經(jīng)在量產(chǎn)的270層NAND閃存中得到應用。
業(yè)內(nèi)人士指出，傳統(tǒng)的單元堆疊方式在單個晶圓上的堆疊層數(shù)有限，大約只能達到500層左右。因此，要實現(xiàn)三星所承諾的1000層NAND，必須采用多片晶圓堆疊的方式。事實上，三星早在2022年的技術日上就已經(jīng)承諾，將在2030年之前開發(fā)出1000層的NAND。
除了晶圓鍵合技術外，三星還展示了其他兩項創(chuàng)新技術：低溫蝕刻和鉬沉積。低溫蝕刻技術預計將被用于400層或以上的NAND通孔制造中，目前已有東京電子和Lam Research等公司正在開發(fā)相關設備。這一技術的特點是能夠在極低的溫度下保持高速蝕刻，從而減少堆疊問題。
另一項創(chuàng)新技術是鉬沉積。三星計劃將鉬元素引入字線材料中，以取代傳統(tǒng)的鎢和氮化鈦材料。這一改變將大幅降低晶體管的電阻率，從而提升NAND閃存的性能。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，使用鉬可以進一步減少層高30%至40%，目前已有相關設備廠商在這一領域展開競爭。
隨著這些新技術的應用，材料市場也將迎來一場大變革。新一代NAND閃存的生產(chǎn)將不僅涉及前驅體的變革，還將對蝕刻液劑、動力氣體等材料產(chǎn)生重大影響。這一變革將推動整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展和創(chuàng)新。
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